清洁工程清洁空间的温湿度控制主要根据工艺标准确定，但在满足工艺标准的条件下，应考虑人的舒适性。随着空气清洁度要求的提高，工艺对温湿度的要求越来越严格。
未来将列出具体工艺对温度的要求，但作为一般原则，由于尺寸精度越来越精细，对温度波动范围的要求越来越小。例如，在大型集成电路制造的光刻曝光过程中，玻璃和硅片作为掩膜板材料的热膨胀系数的差异越来越小。
直径100 um硅片，温度升高1度，导致0.24um线性膨胀，因此必须有±0.1度恒温要求湿度值一般较低，因为出汗后会污染产品，尤其是怕钠的半导体车间。这个车间的温度不应该超过25度，湿度过高会造成更多的问题。当相对湿度超过55%时，冷却水管内壁会结露。如果出现在精密装置或电路中，会造成各种事故。相对湿度在50%时容易生锈。
此外，当湿度过高时，很难通过空气中的水分子将附着在硅片表面的灰尘化学吸附在表面。相对湿度越高，附着力越难去除。但当相对湿度低于30%时，由于静电的作用，颗粒容易吸附在表面，大量半导体器件容易穿透。硅片生产的湿度范围为35-45%。
对于大多数清洁空间，为了避免外部污染，需要保持内部压力（负压）高于外部压力（负压）。保持压差一般应符合以下原则：
1、洁净空间的压力远高于非洁净空间。
2、洁净度高的空间压力远高于邻近洁净度低的空间压力。
压差的维持取决于新风量，这应该能够补偿在这种压差下从间隙泄漏的风量。因此，压差的物理意义是通过洁净室各种缝隙泄漏（或渗入）风量时的阻力。
